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三星750 EVO固态硬盘参数曝光 使用2D闪存

来源:腾讯数码   作者:大风   发布时间:2015-11-18 08:32:56
[摘要]750 EVO的核心配置(120GB版本)包括540MB/s的连续读取速度和520MB/s的连续写入速度,随机读取/写入速度则分别是94000/88000 IOPS。

根据国外媒体报道,三星的日本官网日前不慎泄露了一款尚未发布的固态硬盘型号:750 EVO,我们则从中了解到了与之相关的参数信息。


虽然三星很快便撤下了相关的产品页面,但好在科技网站Tom’s Hardware及时记录并翻译了当中的信息。据悉,750 EVO使用了三星MGX控制器,由于页面当中并未提及任何与3D V-NAND相关的内容,这款固态硬盘应该使用的是2D平面NAND闪存。

750 EVO的核心配置(120GB版本)包括540MB/s的连续读取速度和520MB/s的连续写入速度,随机读取/写入速度则分别是94000/88000 IOPS。

值得注意的是,750 EVO应该是一款廉价固态硬盘,但具体售价还不得而知。

从产品页面中我们还得知,750 EVO提供了120GB和250GB两种容量选择,还支持AES 256位FDE加密标准,保修期为3年。

根据猜测,750 EVO预计会在月底之前正式发布。
netease本文来源:腾讯数码 
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关键字:三星750EVO固态硬盘曝光

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