固态硬盘的数据读写速度虽然非常快，但由于成本和技术方面的原因，固态硬盘的存储容量普遍偏小。但这很快就将成为历史——在上周，英特尔和镁光正式发布了自己研发的3D NAND技术，可将现有固态硬盘的容量提升三倍。如此一来，消费级固态硬盘的容量将能够达到惊人的10TB。
英特尔和镁光在NAND闪存技术上面一直保持着长期的合作关系。两家公司表示，他们的技术突破在于增加闪存芯片的厚度，而不是面积。就像盖楼一样，当平面空间用完了以后，你就只能往上走了。
通过NAND的堆叠，两家公司得以大幅提升了固态硬盘的容量。这种新型3D NAND技术可将闪存单元堆叠32层之多，可在标准硬盘单位体积内容纳256GB的MLC芯片和384GB的TLC芯片。他们表示，这种方法可以实现更高的效率，同时降低成本。
两种存储芯片的结合可让硬盘的容量实现三倍的飞跃。比方说，标准2.5英寸SATA固态硬盘的容量可以达到最高10TB，而大多数笔记本所使用的M.2固态硬盘也可获得最多3.5TB的容量增加。
目前，英特尔和镁光已经开始了这种芯片的试生产，前者表示相关产品会在今年下半年问世。但这些芯片的使用寿命有多长，我们目前还不得而知。
